特許
J-GLOBAL ID：200903099143153195
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-116856
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333941
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】少ない工程数により、低濃度層の領域を制御して所望のLDD構造を得る。【構成】ポリシリコンゲート電極3の側壁に、シリコン酸化膜2を介してポリシリコンのサイドウォール・スペーサ5を形成する。次に、サイドウォール・スペーサ5に多数の孔5aを形成する。続いて、サイドウォール・スペーサ5とポリシリコンゲート電極3とをマスクとして、P型シリコン基板1にヒ素をイオン注入する。このとき、イオン注入エネルギーのRPを適宜に調整し、サイドウォール・スペーサ5の孔5aの無い部分では、注入されたヒ素イオンがサイドウォール・スペーサ5中で止まるようにする。これにより、サイドウォール・スペーサ5の孔5aの部分のシリコン基板1にだけヒ素がイオン注入されることになり、孔5aの部分の面積に応じてドーズ量を調整することができる。その結果、低濃度のn- 層4aと高濃度のn+ 層4bとを同時に形成することができる。
請求項（抜粋）：
低濃度ドープドレイン構造の半導体装置において、ゲート電極(3)の側壁に、所定の割合で多数の小孔(5a)が形成されたサイドウォール・スペーサ(5)を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
