堆積膜形成方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：宮崎昭夫 , 金田暢之 , 伊藤克博 , 石橋政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-209314
公開番号（公開出願番号）：特開2005-068455
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】堆積膜特性の均一性を極めて高いレベルとし、さらに、画像欠陥の原因となる球状突起を低減することで高画質を満たす堆積膜を形成可能とする。【解決手段】減圧可能な反応容器101内に複数の円筒状基体102が設置される。反応容器101内に供給された原料ガスを第1の高周波電力導入手段103および第2の高周波電力導入手段104から導入された高周波電力で分解することで、円筒状基体102に堆積膜が形成される。第1の高周波電力導入手段103は円筒状基体102の配置円外に配置され、第2の高周波電力導入手段104は円筒状基体102の配置円内に配置される。第1の高周波電力導入手段103に印加する高周波電力と第2の高周波電力導入手段104に印加する高周波電力とは独立に制御され、それぞれ周波数の異なる複数の高周波電力が導入される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

減圧可能な反応容器内に複数の円筒状基体を同一円周上に配置し、該反応容器中に供給された原料ガスを第1の高周波電力導入手段と第2の高周波電力導入手段から導入された高周波電力により分解し、該円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、該第1の高周波電力導入手段により該円筒状基体の配置円外から高周波電力を導入し、該第2の高周波電力導入手段により該円筒状基体の配置円内から高周波電力を導入し、該第1の高周波電力導入手段に印加する高周波電力と該第2の高周波電力導入手段に印加する高周波電力を独立に制御し、該第1の高周波電力導入手段と該第2の高周波電力導入手段のそれぞれに周波数が異なる複数の高周波電力を導入して堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C16/505 , G03G5/08 , H01L21/205

FI (3件)：

C23C16/505 , G03G5/08 360 , H01L21/205

Fターム (34件)：

2H068DA03 , 2H068DA23 , 2H068DA53 , 2H068EA25 , 2H068EA30 , 2H068EA36 , 4K030AA06 , 4K030BA30 , 4K030BB12 , 4K030CA02 , 4K030CA16 , 4K030FA01 , 4K030GA06 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030KA30 , 4K030LA17 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB06 , 5F045AC00 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045BB01 , 5F045CA16 , 5F045DP13 , 5F045DQ10 , 5F045EH04

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