特許
J-GLOBAL ID：200903099148064662
丸い角を備えたトレンチ分離構造体を有する半導体装置の製造法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-302035
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181163
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 丸い角を備えたトレンチ分離構造体を有する半導体装置の製造法を提供する。【解決手段】 LOCOS酸化物がシリコン基板の表面から除去されて、表面に凹部328が形成される。LOCOS工程で用いられた窒化シリコンを有する表面の上に、二酸化シリコン層または窒化シリコン層324が沈着される。この表面が異方性エッチングされて、トレンチが形成されるべき領域の両側に側壁スペーサ332が作成される。次に、基板がエッチングされて、トレンチ334が形成される。
請求項（抜粋）：
トレンチが形成されるべき位置のシリコン基板の表面上にLOCOS酸化物を形成する段階と、前記トレンチ位置の前記表面に凹部が残るように前記LOCOS酸化物を除去する段階と、前記表面の上に第1の誘電体層を形成する段階と、前記トレンチ位置の側面に誘電体スペーサを形成するために前記誘電体層を異方性エッチングする段階と、前記トレンチ位置でトレンチをエッチングする段階と、を有する、丸い角を備えたトレンチ分離構造体を有する半導体装置を製造する方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/76 L
, H01L 21/316 B
, H01L 21/94 A
