特許

J-GLOBAL ID：200903099149653874

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 遠藤 正文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051597
公開番号（公開出願番号）：特開2000-251484
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 複数ページのページデータの連続書き込みまたは連続読み出しを行う場合に、データ入力またはデータ出力に要する時間の短縮を図ることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 誤り訂正機能を有し、多値型のフラッシュメモリセルアレイ7を有するフラッシュメモリ装置において、データ入出力回路1と、誤り訂正エンコーダ4および誤り訂正デコーダ5との間に、第1ページデータバッファ2および第2ページデータバッファ3を設け、第1ページデータバッファ2および第2ページデータバッファ3を交互に動作させることにより、ページ書き込み動作時には、データ入出力回路1と誤り訂正エンコーダ4との間でのページデータの記憶、転送を交互に行い、ページ読み出し動作時には、誤り訂正デコーダ5とデータ入出力回路1との間でのページデータの記憶、転送を交互に行う。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルにより構成されたメモリセルアレイにページ単位でデータを書き込むようにした不揮発性半導体記憶装置において、外部から連続的にページデータを入力させるためのデータ入力回路と、上記データ入力回路と交互に接続され、上記データ入力回路から転送されるページデータを交互に記憶するための第1のページデータバッファおよび第2のページデータバッファと、上記第1のページデータバッファおよび上記第2のページデータバッファと交互に接続され、上記第1のページデータバッファおよび上記第2のページデータバッファから交互に転送されるページデータを上記メモリセルアレイに転送すると共に、上記ページデータに基づいて誤り訂正符号を生成するための誤り訂正エンコーダとを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 611 G ,  G11C 17/00 641

Fターム (9件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD00 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08