特許
J-GLOBAL ID：200903099155075980
帯状体-超電導体における臨界電流密度の縦方向及び横方向均一性の無接触試験測定方法及び測定装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-115298
公開番号（公開出願番号）：特開平10-300723
出願日： 1998年04月24日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 帯状体-超電導体の大きな長さを臨界電流密度及びそれの帯状体長さに亘っての均一性に関して連続的に測定できるようにする産業上利用可能な試験測定方法及び測定装置を提供すること。【解決手段】 無接触測定を行うホールセンサとして、外部磁場内を通過走行する超電導体の直ぐ上方におけるホールセンサアレイ、及び外部磁場内の補償ホールセンサが使用され、該補償ホールセンサは、シールド電流のフィールド外におかれている。縦方向、長手方向での均一性の測定のためには、ホールセンサ、例えばアレイのうちの或1つのホールセンサで十分である。横方向均一性が、アレイにおけるすべてのホールセンサで検出される。
請求項（抜粋）：
跳躍的変化-温度Tc以下に冷却される帯状体超電導体(2)における、臨界電流密度Icの縦方向及び横方向均一性をホールセンサ(5,6)を用いて、無接触試験測定する方法であって、前記帯状体-超電導体(2)を一定の勾配グラジエントを伴う局所的に限定された外部磁場(X,Y,Z)を貫通して張力をかけて通過走行せしめ、前記外部磁場の磁場軸線(8)は、測定中変化されないようにした当該の試験測定方法において、外部磁場の貫通する帯状体-超電導体(2)の領域内にて誘起されたシールド電流に由来する磁場が第1のホールセンサ(5)でセンシングされ、該ホールセンサは、前記帯状体-超電導体(2)に10分の数mmの近さに接近して位置せしめられ、前記第1ホールセンサ(5)に可及的に同じ構成の第2ホールセンサ(6)である補償センサにより、誘起されたシールド電流のフィールド領域外の外部磁場が測定され、ここで、前記の外部磁場の測定は、前以て、アイドル、ダミ-測定(被試験物のない場合)にて外部磁場のみを両ホールセンサ(5,6)によりセンシング、測定し、両ホールセンサ-信号の差を零に調整整合した後、実施され、第1及び第2ホールセンサ信号間の差が、帯状体-超電導体(2)の長手軸線に関して局所的に変化する臨界電流密度Ic(X)及びそれの特性経過、状態(縦方向、長手方向均一性)に対する定性的尺度量として使用され、(直線的)ホールセンサーアレイ(5)により横方向均一性が測定され、ここで、当該の横方向均一性の測定は、前記アレイ(5)のすべてのホールセンサに対して前以て、同様に補償センサ(6)の信号での零補償のなされた後実施されるようにし、前記ホールセンサーアレイ(5)は、帯状体-超電導体(2)の長手軸線に対して横断方向に位置し、導体広幅面に亘って延在し、局所的な臨界電流密度Ic(X,Y)をホールセンサ-信号から抵抗的校正(電流-電圧-測定)を介して定量的に表示することを特徴とする帯状体-超電導体における臨界電流密度の縦方向及び横方向均一性の無接触試験測定方法。
IPC (4件)：
G01N 27/72
, G01R 31/00 ZAA
, G01R 33/12
, G01R 33/07
G01N 27/72
, G01R 31/00 ZAA
, G01R 33/12 Z
, G01R 33/06 H
