特許

J-GLOBAL ID：200903099156217699

ポジ型レジスト組成物

発明者： 大野 勇人 ,  徳竹 信生 ,  新倉 聡 ,  小原 秀克 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-248947
公開番号（公開出願番号）：特開平5-204145
出願日： 1992年08月26日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【構成】 (A)アルカリ可溶性ノボラック型樹脂と(B)キノンジアジド基含有化合物と(C)一般式【化1】(R1〜R12は水素原子、水酸基又はC1〜C4のアルキル基、R1〜R4、R5〜R8、R9〜R12の各グループは1個以上の水酸基と1個以上のtert-ブチル基をもつ)で表わされイソシアヌレート系化合物とを含有するポジ型レジスト組成物。【効果】 特に高感度で保存安定性に優れ、かつ残膜率、断面形状、解像性及び耐熱性に優れたレジストパターンを形成することができ、半導体デバイス製造分野において好適に用いられる。

請求項（抜粋）：

(A)アルカリ可溶性ノボラック型樹脂と、(B)キノンジアジド基含有化合物と、(C)一般式【化1】(式中のR1ないしR12はそれぞれ水素原子、水酸基又は炭素数1〜4のアルキル基であり、それらはたがいに同一でも、異なっていてもよいが、R1ないしR4、R5ないしR8及びR9ないしR12の各グループにおいては、それぞれのグループ中に少なくとも1個の水酸基及び少なくとも1個のtert-ブチル基をもつ)で表わされるイソシアヌレート系化合物とを含有して成るポジ型レジスト組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/022 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-296755
  
• 特開平4-001651
  
• 特開平4-271349
  
• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-101684   出願人：日本ゼオン株式会社