特許
J-GLOBAL ID：200903099156429890
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
四宮 通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-099737
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298147
出願日： 2002年04月02日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 フリー層へバイアス磁界を与える磁区制御膜を磁気抵抗効果層に積層した構造を持ちながら、有効トラック幅が狭くても、バルクハウゼンノイズを抑制するために十分なバイアス磁界をフリー層内で得る。【解決手段】 フリー層25上に非磁性金属層24を介して積層された反強磁性層23は、交換結合磁界をバイアス磁界としてフリー層25に対してトラック幅方向に与える。反強磁性層23、非磁性金属層24及びフリー層25は、磁気抵抗効果層の有効領域からトラック幅方向の両側に広がった領域に及ぶように、形成される。
請求項（抜粋）：
基体の一方の面側に形成されフリー層を含む磁気抵抗効果層と、前記基体に対する前記フリー層と同じ側において前記フリー層の一方の面側に形成され前記フリー層に対して主として前記フリー層の膜面方向の所定方向にバイアス磁界を与える反強磁性層と、を備え、前記フリー層と前記反強磁性層との重なり領域が、前記磁気抵抗効果層における磁気検出に有効に関与する膜面方向の有効領域と実質的に重なる領域と、この領域から連続し前記有効領域とは実質的に重ならない領域とを含み、前記実質的に重ならない領域は、前記実質的に重なる領域に対する前記所定方向の少なくとも一方の側の領域を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 B
, H01L 43/08 P
, G11B 5/39
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AC09
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034CA04
