特許
J-GLOBAL ID：200903099158368538
高強度薄型半導体素子形成用基板、高強度薄型半導体素子及び高強度薄型半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-364659
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274538
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 基板を薄型化することに伴う基板自体の強度の低下を防ぎ、基板の取り扱いが容易で、かつ割れ、欠けによる不良品の発生を防止し、後工程での処理に使用される装置に求められる基板搬送性能の低減化を実現することを目的とする。【解決手段】 基板の表面又は表裏面に、初期投入された基板厚を保持するか、十分な基板強度を与える厚さを保持する肉厚部を有し、該肉厚部以外の部分の基板が選択的に除去されて、前記肉厚部より薄くかつ20μm以上の厚みを有する薄層部が形成されてなる高強度薄型半導体素子形成用基板。
請求項（抜粋）：
基板の表面又は表裏面に、初期投入された基板厚を保持するか、十分な基板強度を与える厚さを保持する肉厚部を有し、該肉厚部以外の部分の基板が選択的に除去されて、前記肉厚部より薄くかつ20μm以上の厚みを有する薄層部が形成されてなることを特徴とする高強度薄型半導体素子形成用基板。
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 X
