特許

J-GLOBAL ID：200903099159660607

半導体チップへの接合構造及びそれを用いた半導体装置

発明者： 鈴木 功一 ,  佐藤 定信 ,  山下 由美子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-079720
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275810
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップのアルミニウム含有電極パッドに金バンプを接合すると共に,この接合部を樹脂封止した構成を有する半導体装置において,アルミニウム含有電極パッドと金バンプとの接合部における接続信頼性の高い半導体装置と樹脂封止型半導体装置とそれらの製造方法とを提供する。【解決手段】 半導体チップのアルミニウム含有電極パッド2と金を含む導電バンプ5との間のジャンクション温度(Tj)を125〜150°Cで,1000時間以上の試験に耐え得るワイヤレス半導体装置が得られる。このため,140〜160°Cのガラス転移点を有するものを使用し,且つ,導電バンプ5として重量で1%の銅又はパラジウムを添加したものを使用する。

請求項（抜粋）：

半導体チップ上に形成されたAl含有電極を介してAuを含有する球状又は線状の導体バンプを接続した半導体チップへの接合構造において,前記半導体チップと前記導体バンプとの間にAl含有電極を含む接合部を備え,前記接合部は,Pd及びCuを含有することを特徴とする半導体チップへの接合構造。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 602 J ,  H01L 21/92 603 F