特許
J-GLOBAL ID：200903099159743774
側部誘電体絶縁型半導体装置の形成方法およびこの方法により製造されるMOS半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-554360
公開番号（公開出願番号）：特表2002-506579
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2002年02月26日
要約：
【要約】半導体基板に幅の狭い熱二酸化ケイ素側部絶縁領域を形成する方法と、この方法により製造されるMOSまたはCMOS半導体装置とが開示される。フィールド酸化プロセスの前に、半導体基板の表面上のポリシリコンバッファ応力緩和層とともに薄い応力緩和層を使用して、二酸化ケイ素の横方向の膨張を抑え、それにより、半導体基板に幅の狭い熱二酸化ケイ素側部絶縁領域を作り出すことを可能にする。酸化物キャップとして機能し、アモルファスポリシリコン層の望ましくないピッチングを回避し、そして、高応力のエリアでの窒化ケイ素層とアモルファスポリシリコン層との間の相互作用を回避するために、アモルファスポリシリコン(バッファ応力緩和)層と窒化ケイ素層との間に、二酸化ケイ素層も使用する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に幅の狭い熱二酸化ケイ素側部絶縁領域を形成する方法であって、 半導体基板を提供する工程と、 該半導体基板の表面上に応力緩和層を形成する工程と、 オキシニトリド層の表面上にアモルファスポリシリコン層を堆積させる工程と、 該アモルファスポリシリコン層の表面上に二酸化ケイ素層を堆積させる工程と、 該二酸化ケイ素層の表面上に窒化ケイ素層を堆積させる工程と、 該窒化ケイ素層の表面上に、開口部を有するパターニングされたフォトレジスト層を形成する工程と、 該パターニングされたフォトレジスト層の該開口部の下にある、該窒化ケイ素層、該二酸化ケイ素層、および該アモルファスポリシリコン層の部分を除去する工程と、 該窒化ケイ素層上にある該パターニングされたフォトレジスト層を除去する工程と、 該窒化ケイ素層をマスクとして用いて、該窒化ケイ素層、該二酸化ケイ素層および該アモルファスポリシリコン層の部分を除去する工程後に露出される該オキシニトリド層の露出部分を除去する工程と、 該オキシニトリド層に形成された開口部を通して、該半導体基板内部に、幅の狭い二酸化ケイ素側壁絶縁領域を熱成長させる工程と、 該半導体基板上にある、該窒化ケイ素層、該二酸化ケイ素層、該アモルファスポリシリコン層、および該オキシニトリド層の残りの部分を除去して、該半導体基板の表面部分にある該幅の狭い二酸化ケイ素側壁絶縁領域を有する裸の表面を有する該半導体基板を残す工程と、 その後に、該半導体基板に形成された該幅の狭い二酸化ケイ素側壁絶縁領域の間で、該半導体基板にMOS半導体装置を形成する工程と、を包含する、方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, H01L 21/76
, H01L 27/08 331
, H01L 29/78
H01L 27/08 331 A
, H01L 21/94 A
, H01L 21/76 M
, H01L 29/78 301 R
