特許
J-GLOBAL ID：200903099164236198
量子箱半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-148016
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120481
出願日： 1991年05月23日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 量子効果を発揮するのに十分に小さいサイズの量子箱半導体素子を提供する。【構成】 基板3には平坦な絶縁性材料を用い、段差部は基板表面一部をレジストで被覆し露出部をエッチングで形成する。電極4はAu,Al,Cuの金属又は合金を用いて薄膜堆積で形成する。段差部に形成される半導体微結晶1は、Si,Ge、それらを含む合金、I族-VII族、II族-VI族、III族ーV族の化合物半導体である。微結晶サイズは10〜1nmで、半導体微結晶1はそのバンドギャップより広いバンドギャップのギャップ材2で隔てられる。微結晶1間の距離により半導体素子の動作電圧が変化するため、微結晶を制御して均一に分散させる。これで、量子効果を発揮するに十分小サイズの量子箱半導体素子が作製される。
請求項（抜粋）：
個々の結晶が広バンドギャップ物質によって隔てられた半導体微結晶を含む層を段差壁面に堆積したことを特徴とする量子箱半導体素子。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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特開平3-116822
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特開平1-319985
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特開昭63-029989
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