特許

J-GLOBAL ID：200903099173689910

半導体基板の洗浄方法

発明者： 大塚 進 ,  上村 賢一 ,  森 良弘
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-085339
公開番号（公開出願番号）：特開平9-278600
出願日： 1996年04月08日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：

【要約】【課題】 錯化剤を添加したアルカリ性洗浄液による洗浄後、基板上に付着した錯化合物や錯化剤そのものを効果的に取り除き、基板の清浄度をより高くする半導体基板の洗浄方法を提供する。【解決手段】 半導体基板を、該半導体基板上または洗浄液中に存在する可能性のある金属と錯化合物を形成する錯化剤を添加したアルカリ性洗浄液による洗浄後、オゾン水により洗浄することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板を、該半導体基板上または洗浄液中に存在する可能性のある金属と錯化合物を形成する錯化剤を添加したアルカリ性洗浄液による洗浄後、オゾン水により洗浄することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。