電界効果トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：タイコエレクトロニクスアンプ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-252553
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164531
出願日： 2001年08月23日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】長さが短く断面積が大きいT状ゲートを有する電界効果トランジスタの製造方法の提供。【解決手段】T状ゲートの製造方法は、以下の工程からなる。すなわち、?@ソース電極及びゲート電極からなる被ドープ半導体基板を設け、?A基板上のソース及びゲート電極上に丸い肩を有する、下側フォトレジスト機構を形成し、?B下側フォトレジスト機構上に、アンダカット側面を有し、且つ丸い肩の部分が覆われない状態にするエッジと、基板の部分を覆うエッジとを具備する上側フォトレジスト機構を形成し、?C基板上に、基板を越えて延び丸い肩上で終端するエッジを具備するゲート金属機構、及び基板を越えないエッジを有する相互接続金属機構を形成し、及び?D下側フォトレジスト機構及び上側フォトレジスト機構を除去し、ゲート金属機構が基板でアンダカットされた側面を有し、相互接続金属機構が基板でアンダカットされた側面を有していない一構造を製造する工程。

請求項（抜粋）：

T状ゲートを有する電界効果トランジスタの製造方法であって、ソース電極及びゲート電極からなる、ドープされた半導体基板を設ける工程、前記基板上の前記ソース電極及び前記ゲート電極上に丸い肩を有する、下側フォトレジスト機構を形成する工程、前記下側フォトレジスト機構上に、アンダカット側面を有し、且つ前記下側フォトレジスト機構のエッジまでは延びていないことにより、前記丸い肩の部分が覆われない状態にするエッジと、前記下側フォトレジストのエッジを越えて延びることにより、前記基板の部分を覆うエッジとを具備する複数の上側フォトレジスト機構を形成する工程、前記基板上に、前記基板を越えて延び前記丸い肩上で終端するエッジを具備するゲート金属機構、及び前記基板を越えないエッジを有する相互接続金属機構を形成する工程、及び前記下側フォトレジスト機構及び前記上側フォトレジスト機構を除去し、前記ゲート金属機構が前記基板でアンダカットされた側面を有し、前記相互接続金属機構が前記基板でアンダカットされた側面を有していない一構造を製造する工程からなることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (10件)：

H01L 29/43 , G03F 7/26 511 , G03F 7/26 513 , G03F 7/40 501 , G03F 7/40 511 , G03F 7/40 521 , G03F 7/42 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (9件)：

G03F 7/26 511 , G03F 7/26 513 , G03F 7/40 501 , G03F 7/40 511 , G03F 7/40 521 , G03F 7/42 , H01L 29/62 Z , H01L 29/80 F , H01L 29/80 H

Fターム (31件)：

2H096AA25 , 2H096HA01 , 2H096HA03 , 2H096HA05 , 2H096HA27 , 2H096HA28 , 2H096KA02 , 2H096KA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104CC03 , 4M104DD62 , 4M104DD68 , 4M104FF07 , 4M104GG11 , 4M104GG12 , 4M104HH14 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GQ01 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102HA04 , 5F102HC17 , 5F102HC20 , 5F102HC21 , 5F102HC23

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