特許
J-GLOBAL ID：200903099175857895
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-185187
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036487
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、butt-joint法によるInAlGaAs系テーパ導波路レーザの製造方法を提供する。【構成】 有機金属気相成長(MOVPE)法によって、例えば、n-InP基板1の上にn-InPバッファ層2、n-InAlAsクラッド層3、n-InAlGaAs光ガイド層4、InAlGaAs/InAlGaAs多重量子井戸構造5、p-InAlGaAs光ガイド層6、p-InAlAsクラッド層7を成長してレーザ構造を形成した後、レーザ領域とする部分にマスクM1 を形成してエッチングすることによりマスクM1 がないレーザ領域以外の部分のレーザ構造を除去し、その除去した領域のn-InPバッファ層2の上にマスクM1 ,M2 を形成し、n-InPバッファ層2の上にn-InPクラッド層8、InGaAsP光ガイド層9、p-InPクラッド層10を選択成長してテーパ状光導波路を形成する。
請求項（抜粋）：
有機金属気相成長法により半導体基板上に III-V族化合物半導体材料からなるレーザ構造を形成した後、成長面内の部分的な領域でレーザ構造を除去し、その除去した領域に選択成長によってテーパ状光導波路を集積することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
