特許

J-GLOBAL ID：200903099176019893

半導体装置

発明者： 五味 孝行 ,  篠原 衛
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-062979
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252348
出願日： 1993年02月28日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 下部電極がSi等の半導体基板中の拡散層であるMISやMOS容量において、例えばMOSデジタル部の基板電流を原因とした基板電位の変動によるノイズ等による悪影響を、工程の追加なしに防ぐことができる技術を提供して、高性能、高精度、高集積なIC、LSI等の半導体装置を実現する。【構成】 下部電極313として半導体基板1中の第1の導電型の拡散層を有する容量を備え、該第1の導電型の拡散層である下部電極を、反対の導電型の拡散層で分離し、更に該反対の導電型の拡散層を第1の導電型の分離用拡散層で分離し、当該第1の導電型の分離用拡散層を接地する構成とした半導体装置。

請求項（抜粋）：

下部電極として半導体基板中の第1の導電型の拡散層を有する容量を備えた半導体装置において、該第1の導電型の拡散層である下部電極を、反対の導電型の拡散層で分離し、更に該反対の導電型の拡散層を第1の導電型の分離用拡散層で分離し、当該第1の導電型の分離用拡散層を接地する構成としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (4件)：

H01L 21/265 W ,  H01L 21/94 A ,  H01L 27/06 321 C ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-155659
  
• 特開昭62-119958
  
• 特開平3-046267