半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-015996
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299585
出願日： 1993年02月03日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【構成】外部電源電圧をこれより低い電圧に変換して内部回路に供給する電源電圧変換回路を内蔵する半導体集積回路装置の静電耐圧を改善する手段が開示される。外部電源ピンに接続される外部電源配線およびまたは入力ピンと電源電圧変換回路の出力線である内部電源配線との間にクランプ素子を挿入する。【効果】過大電圧の印加によりクランプ素子が動作することにより内部電源配線と基板との間の容量に電荷が分配される結果、電源電圧変換回路を内蔵しない半導体集積回路装置と同程度の静電耐圧が得られる。

請求項（抜粋）：

外部電源配線と接地配線との間に挿入され前記外部電源配線から供給される外部電源電圧未満の所定の内部電源電圧を発生する電源電圧変換回路と、前記電源電圧変換回路の出力端に接続された内部電源配線と前記接地配線との間に挿入された内部回路と、入力パッドと前記接地配線との間に挿入された第1の保護回路と、前記外部電源配線およびまたは前記入力パッドと前記内部電源配線との間に挿入された第2の保護回路とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 27/06

FI (3件)：

H01L 27/06 311 Z , H01L 27/06 311 B , H01L 27/06 311 C

前のページに戻る