強誘電体薄膜及び常誘電体薄膜の形成方法、半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：重信和男 , 清水英雄 , 高木祐一 , 中野佳直 , 秋庭英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-080258
公開番号（公開出願番号）：特開2009-238842
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：

【課題】ガラス基板あるいはプラスチック基板の絶縁素材基板上への強誘電体薄膜及び常誘電体薄膜の形成方法、およびそれを利用した強誘電体メモリの製造方法を提供する。【解決手段】絶縁素材基板1上にスピンコート法により非晶質のPZT薄膜2を堆積し、ライン状に整形された532nmの波長をもつ連続発振レーザビーム4を酸化物2の表面3にスキャン照射して結晶化させることで、優れた強誘電特性が得られる。対象となる酸化物2に集中的にしかも短時間で最適な熱を与えることができるため、基板1や他の層の温度上昇を押さえることが可能である。また、レーザービーム照射により酸化膜の温度が急激に上昇しても短時間での処理となり、蒸発などによる組成のずれを最小限にすることが可能である。特にガラス基板あるいはプラスチック基板の絶縁素材基板1を用いるため、基板への熱損失が少なく、有効に結晶化を行うことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板としてガラス基板あるいはプラスチック基板の絶縁素材基板を用い、結晶化することによって強誘電体もしくは常誘電体となる酸化物薄膜を基板上に直接あるいは他の層を介して堆積し形成し、その後レーザビームを照射して結晶化を促進させることを特徴とする強誘電体薄膜及び常誘電体薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 27/10 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L27/10 444B , H01L27/10 461 , H01L21/316 G

Fターム (26件)：

5F058BA11 , 5F058BB07 , 5F058BB10 , 5F058BC03 , 5F058BF46 , 5F058BH20 , 5F083FR02 , 5F083GA25 , 5F083GA29 , 5F083HA10 , 5F083JA12 , 5F083JA13 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA39 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA19 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA20 , 5F083PR33 , 5F083ZA11 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13

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