特許
J-GLOBAL ID：200903099185811826

発光装置およびその作製方法

発明者：
瀬尾 哲史

瀬尾 哲史 について

, 
山崎 寛子

山崎 寛子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-183327
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087477
出願日： 2003年06月26日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】上面出射構造を有する発光素子において、電極(特に基板に接している側の電極)のイオン化ポテンシャルを考慮することなく、容易に作製される発光素子およびその作製方法を提供する。【解決手段】図1(A)に示すように仕事関数を問題とすることなく遮光性または反射性を有する汎用金属(具体的にはTiやAlなどの配線材料)により形成された第1の電極101と、第1の電極101上に導電性を有する高分子材料を塗布して形成された導電性高分子層102と、導電性高分子層102と接して形成された電界発光膜103と、電界発光膜103上に形成された透光性を有する第2の電極104とからなる上面出射構造の発光装置であり、導電性高分子層102を形成する材料として、レドックスポリマー等を用いることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の電極、導電性高分子層、電界発光膜、および第2の電極を有する発光装置であって、 前記導電性高分子層は、レドックスポリマーからなり、かつ前記第1の電極及び前記電界発光膜の間に接して形成され、 前記第2の電極は透明性導電膜からなることを特徴とする発光装置。
IPC (3件)：
H05B33/22 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26
FI (4件)：
H05B33/22 D ,  H05B33/22 B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z
Fターム (8件)：
3K007AB03 ,  3K007AB15 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CB01 ,  3K007CB04 ,  3K007CC01 ,  3K007DB03
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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