特許

J-GLOBAL ID：200903099186342676

薄膜磁気ヘッドにおける下層コアの膜厚測定方法

発明者： 常脇 謙一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-012833
公開番号（公開出願番号）：特開平6-223325
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 下層コアの膜厚を正確に把握することによって、研磨の終点を容易に管理可能となす。【構成】 同一基板2上に下層コア5と膜厚測定用パターン8を形成し、これらを覆って透明絶縁膜9を積層した後、該透明絶縁膜9と下層コア5を共に平面研磨して、そのときの研磨前後途中における膜厚測定用パターン8上の透明絶縁膜9の膜厚を検出することにより、該下層コア5の膜厚を測定する薄膜磁気ヘッドにおける下層コア5の膜厚測定方法において、上記膜厚測定用パターン8上の透明絶縁膜9に光を投射し、透明絶縁膜面と膜厚測定用パターン面でそれぞれ反射する反射光によって、上記膜厚測定用パターン8上の透明絶縁膜9の膜厚を検出する。

請求項（抜粋）：

同一基板上に下層コアと膜厚測定用パターンを形成し、これらを覆って透明絶縁膜を積層した後、該透明絶縁膜と下層コアを共に平面研磨して、そのときの研磨前後途中における膜厚測定用パターン上の透明絶縁膜の膜厚を検出することにより、該下層コアの膜厚を測定する薄膜磁気ヘッドにおける下層コアの膜厚測定方法において、上記膜厚測定用パターン上の透明絶縁膜に光を投射し、透明絶縁膜面と膜厚測定用パターン面でそれぞれ反射する反射光によって、上記膜厚測定用パターン上の透明絶縁膜の膜厚を検出するようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドにおける下層コアの膜厚測定方法。