特許

J-GLOBAL ID：200903099186981423

レジスト

発明者： 堀口 留美子 ,  早瀬 修二 ,  大西 廉伸 ,  平尾 明子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083079
公開番号（公開出願番号）：特開平5-181280
出願日： 1985年09月26日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【構成】 下記一般式[1]及び[2]のいずれかで表されるポリシランによりレジストを調製する。【化1】(式中R1 〜R14は水酸基,水素,ビニル基,アルキル基,アルコキシ基または芳香族基の中より選ばれ、かつR1 〜R5 の少なくとも1つ、及びR6 〜R12の少なくとも1つは水酸基である。)【効果】 感光性を有するとともにドライエッチング耐性に優れ、かつアルカリ現像による微細で高精度なパターン形成が可能なレジストを実現することができる。

請求項（抜粋）：

下記一般式[1]及び[2]のいずれかで表されるポリシランからなることを特徴とするレジスト。【化1】(式中、R1 〜R14は水酸基,水素,ビニル基,アルキル基,アルコキシ基または芳香族基の中より選ばれ、かつR1 〜R5 の少なくとも1つ、及びR6 〜R12の少なくとも1つは水酸基である。)

IPC (4件)：

G03F 7/075 511 ,  C08G 77/60 NUM ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-080844
  
• 特開昭62-036661