特許

J-GLOBAL ID：200903099189825120

化学気相成長において使用する薄膜形成の原料、ならびにこの原料を使用して基板上に薄膜を形成する化学気相成長方法および装置

発明者： 新見 信幸 ,  ルーディー・ウィルヘルム ,  池戸 洋三 ,  町田 英明
出願人/特許権者： 日本エー・エス・エム株式会社 ,  株式会社トリケミカル研究所
代理人 (1件)： 竹内 澄夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-116612
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251354
出願日： 1991年04月22日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】CVD法により薄膜を基板上に形成する際に、安全かつ薄膜形成反応の制御が容易な膜形成の原料、ならびに該原料を使用して薄膜を形成する方法および装置に関する。【構成】CVD法により膜形成する原料が化学式HxSi(NR2)4-xで示され、ここでRがアルキル基で、x=0、1、2、3である。CVD装置において、膜形成の原料と分離ガスとの混合ガスを基板上で分離反応させると同時に成膜反応させて、基板上に窒化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基板に化学気相成長により膜を形成する方法であって、a) 化学式HxSi(NR2)4-xで示され、ここでRがアルキル基で、x=0、1、2、3である膜形成の原料を用意する工程と、b) 前記原料をガス化する工程と、c) ガス化した原料の流量を制御して、基板が配置された反応容器内に供給する工程と、d) 前記供給されたガスを前記基板上で分解反応させる工程と、e) 所望の膜厚が形成されるまでガスの分解反応を維持する工程と、から成る方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31