特許

J-GLOBAL ID：200903099192168378

発光素子

発明者： 日野 智公 ,  中山 典一 ,  小沢 正文 ,  中野 一志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253803
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086697
出願日： 1993年09月16日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】p型電極が形成された後に300 ゚C前後の熱処理を受けた場合でも、電気的特性が劣化することがない発光素子を提供する。【構成】発光素子は、化合物半導体層18上に形成された多層構造のp型コンタクト層20を有し、このp型コンタクト層20の最上層24は、1.0×102nm乃至1μmの厚さを有するp-ZnTeから成る。

請求項（抜粋）：

化合物半導体層上に形成された多層構造のp型コンタクト層を有し、該p型コンタクト層の最上層は、1.0×102nm乃至1μmの厚さを有するp-ZnTeから成ることを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00