特許

J-GLOBAL ID：200903099193235907

高周波用半導体装置の実装構造

発明者： 北澤 謙治 ,  郡山 慎一 ,  藤井 幹男
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-183969
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313078
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】高周波信号を伝送損失を低減し、特性劣化なく伝送するとともに、実装部分で信号の反射を抑制し伝送特性の優れた実装構造を提供する。【解決手段】キャビティ4内部の誘電体基板2の表面に、半導体素子5と電気的に接続された第1の信号伝送線路8と、誘電体基板2の底面に第2の信号伝送線路10と、誘電体基板2の内部であって第1の信号伝送線路8と第2の信号伝送線路10との間に位置しスロット孔11を有するグランド層6とを形成し、スロット孔11を介して第1の信号伝送線路8と第2の信号伝送線路10を電磁結合させてなる高周波用半導体装置1を、第2の信号伝送線路10によって外部電気回路基板20の配線層21に実装してなる実装構造であって、半導体装置1の誘電率基板2の誘電率を外部電気回路基板20の絶縁基板の誘電率よりも高くする。

請求項（抜粋）：

誘電体基板と蓋体により形成されるキャビティ内部に高周波半導体素子が搭載され、前記キャビティ内部の前記誘電体基板の表面に、前記半導体素子と電気的に接続された第1の信号伝送線路と、前記誘電体基板の底面に第2の信号伝送線路と、前記誘電体基板の内部であって前記第1の信号伝送線路と前記第2の信号伝送線路との間に介在するグランド層と、該グランド層に形成されたスロット孔とを具備し、前記第1の信号伝送線路と第2の信号伝送線路を前記スロット孔を介して電磁結合させてなる高周波用半導体装置を、前記第2の信号伝送線路によって外部電気回路基板の配線層に実装してなる実装構造であって、前記半導体装置の誘電体基板の誘電率が前記外部電気回路基板の絶縁基板を誘電率より高いことを特徴とする高周波用半導体装置の実装構造。

IPC (2件)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/04

FI (2件)：

H01L 23/12 301 Z ,  H01L 23/04 F