特許
J-GLOBAL ID：200903099195631737
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226753
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086278
出願日： 1993年09月13日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の配線の形成方法に関し、絶縁膜に形成された溝の内部に銅配線を酸化させることなく自己整合的に形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 絶縁膜2上の配線形成領域に溝3を形成し、溝3内面を含み絶縁膜2上に窒化チタン膜4を形成した後、溝3内部を埋めて窒化チタン膜4上に銅膜5を形成し、チタンイオンと窒素イオンまたはアンモニウムイオンとを溝3の上端部に平均射影飛程がくるようにイオン注入し、高温熱処理をなして銅膜5の溝3の上端部に窒化チタン層6を形成し、研磨して溝3内を除く領域の銅膜5と窒化チタン膜4とを除去して窒化チタン層6で覆われた銅配線7を溝3内に形成するようにする。
請求項（抜粋）：
絶縁膜(2)上の配線形成領域に溝(3)を形成し、該溝(3)内面を含み前記絶縁膜(2)上に窒化チタン膜(4)を形成し、前記溝(3)内部を埋めて前記窒化チタン膜(4)上に銅膜(5)を形成し、チタンイオンと窒素イオンまたはアンモニウムイオンとを前記溝(3)の上端部に平均射影飛程がくるようにイオン注入し、高温熱処理をなして前記銅膜(5)の前記溝(3)の上端部に窒化チタン層(6)を形成し、研磨をなして前記溝(3)内を除く領域の前記銅膜(5)と前記窒化チタン膜(4)とを除去して窒化チタン層(6)で覆われた銅配線(7)を前記溝(3)内に形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
, H01L 21/768
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
H01L 21/88 M
, H01L 21/90 B
, H01L 27/10 325 P
