特許
J-GLOBAL ID：200903099196325753
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032741
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198577
出願日： 1992年01月22日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホール底面において、結晶粒界による粒界拡散がなく、かつシリサイド層に比べて大きな膜厚を有する窒化チタン層を得る。【構成】 シリコン面が露出する部分を有した基板1上に薄いチタン膜8と、窒素を含むチタン膜9(原子比でN/Ti0.8以下)を順次堆積し、窒化雰囲気中で熱処理を行ない、チタンシリサイド層4,窒化チタン層5aの積層構造を得る。
請求項（抜粋）：
シリコン面が露出する部分を有した基板上にチタンシリサイド層及び窒化チタン層が順次形成され、上記チタンシリサイド層及び窒化チタン層を介して配線層を接続してなる半導体装置を製造する方法において、上記基板上に所定の厚さを有するチタン膜を形成する工程と、上記チタン膜上に所定量の窒素を含む窒素含有チタン膜を形成する工程と、上記基板上に積層されたチタン膜及び窒素含有チタン膜を、窒化雰囲気で熱処理する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
