特許
J-GLOBAL ID：200903099196423356
ヘテロバイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-302540
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161727
出願日： 1993年12月02日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】ヘテロバイポーラトランジスタにおいて耐圧を向上させ、かつ高速動作性に寄与する手段を提供する。【構成】強電界部分7の実効禁制帯幅を6及び9のそれより大きくし、7の実効伝導帯準位を強電界層6のそれとほぼ等しいか、それより低くする。実効禁制帯幅を大きくするために禁制帯幅の大きな半導体やそれを含む混晶,超格子等を用いることができる。超格子を用いる場合は、7の実効伝導帯準位が所定の変化をもたらすように、積層周期を厚さ方向に対して変化させることができる。
請求項（抜粋）：
意識的に不純物をドープしない、又は低濃度にドープされた半導体層をコレクタ層としてもち、前記コレクタ層中あるいは前記コレクタ層とそれに隣接したベース層又はコレクタ電極層との間に少なくとも一つの、前記コレクタ層より内部電界の大きな部分を有するバイポーラトランジスタにおいて、強電界部分の実効禁制帯幅が前記コレクタ層及び前記コレクタ電極層の実効禁制帯幅より大きいことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
