特許
J-GLOBAL ID:200903099200185660

オプトエレクトロニクスデバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-550296
公開番号(公開出願番号):特表2005-512331
出願日: 2002年12月02日
公開日(公表日): 2005年04月28日
要約:
基体ないしケーシング(2)、基体の凹所に配置されているオプトエレクトロニック半導体チップ(3)、および凹所に少なくとも1つの半導体チップを埋め込む、透明な材料から成る注型成形材(5)を備えているオプトエレクトロニクスデバイスであって、該透明な注型成形材(5)は拡散散乱するように実現されておりかつ殊に、拡散体粒子(6)を含んでおり、該拡散体粒子にそれに衝突する光は拡散散乱される。
請求項(抜粋):
基体ないしケーシング(2)の凹所に配置されている放射放出半導体チップ(3)を備えたオプトエレクトロニクスデバイスであって、 基体ないしケーシング(2)は、該半導体チップ(3)から放出される放射に対して少なくとも部分的に吸収性である材料から製造されておりかつ 半導体チップ(3)はその放射を大部分、チップ側面を介して放出しかつ前記凹所において少なくとも部分的にチップカバー(5)、例えば合成樹脂材に埋め込まれており、該合成樹脂材は半導体チップ(3)から放出される放射に対して実質的に透過性である という形式のものにおいて、 前記チップカバー(5)は拡散散乱するように構成されていて、 半導体チップ(3)から側方で基体ないしケーシング(2)に向かって出射される放射の大部分が、該放射が前記凹所を制限する、基体ないしケーシング(2)面に衝突する前に、チップカバー(5)の放射出力結合面(7)に向かって偏向されるようになっている ことを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
IPC (1件):
H01L33/00
FI (2件):
H01L33/00 M ,  H01L33/00 N
Fターム (11件):
5F041AA05 ,  5F041AA07 ,  5F041CB11 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA46 ,  5F041DA56 ,  5F041EE25
引用特許:
審査官引用 (7件)
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