特許
J-GLOBAL ID:200903099201548618

アクティブマトリックス型有機電界発光表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 鈴木 崇生 ,  梶崎 弘一 ,  尾崎 雄三 ,  谷口 俊彦
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-575670
公開番号(公開出願番号):特表2005-520292
出願日: 2003年03月06日
公開日(公表日): 2005年07月07日
要約:
【課題】高発光輝度、低消費電力および高信頼性を持つアクティブマトリックス型OELDを提供する。【解決手段】従来の2端子を持つ有機発光ダイオードと比較して、より低動作電圧下で高発光輝度を持つ3極性有機電界発光装置がOELDの画素部に電気的に連結している。従って、本発明の思想が有機発光装置を持つ表示装置に適用されれば、低消費電力および高輝度を持つ電気製品を製作できる。
請求項(抜粋):
3極性有機電界発光装置を持つ画素および前記3極性有機電界発光装置を駆動させる半導体手段を含むアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置(OELD)であって、 基板上に形成された前記3極性有機電界発光装置は、画素電極、この画素電極と対向しながら配置された対向電極、前記画素電極と前記対向電極との間に介在された発光層、および前記画素電極と前記対向電極の1つが形成された水準で形成され、前記画素電極または対向電極と離隔する調節電極を含み、前記調節電極は、前記画素電極と前記発光層または前記対向電極と前記発光層との間の相対的な電位差を調節するためのもので、前記画素電極と前記対向電極の重畳部分の外部領域に形成され、 前記半導体手段は、前記3極性有機電界発光装置の上部または下部に位置し、このとき、絶縁層が前記半導体手段と前記3極性有機電界発光装置との間に介在され、前記半導体手段は、外部電源供給を受けた一端と、前記層間絶縁膜内に形成されたビアホールを通じて前記3極性有機電界発光装置の電極中の1つに連結している他端とにより、3極性有機電界発光装置の電流が制御されることを特徴とするアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置(OELD)。
IPC (5件):
H05B33/26 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  G09G3/30 ,  H05B33/14
FI (8件):
H05B33/26 Z ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  G09G3/20 612E ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/30 J ,  G09G3/30 K ,  H05B33/14 A
Fターム (26件):
3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007AB06 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080DD24 ,  5C080EE29 ,  5C080FF11 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ06 ,  5C094AA10 ,  5C094AA24 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA04 ,  5C094FB01 ,  5C094FB14
引用特許:
審査官引用 (7件)
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