特許
J-GLOBAL ID:200903099209733589

窒化ホウ素薄膜の作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-097272
公開番号(公開出願番号):特開平5-271946
出願日: 1992年03月24日
公開日(公表日): 1993年10月19日
要約:
【要約】【目的】 本発明はプラズマを用いた化学的気相成長法によって窒化ホウ素を作製する際に、低温合成、及び膜質の向上を目的とするものである。【構成】 ハロゲン(フッ素、塩素)ガス、またはハロゲン(フッ素、塩素、臭素、沃素)化合物を反応ガスとして用いる。
請求項(抜粋):
プラズマを用いた化学気相成長法による窒化ホウ素膜を作製するに際し、ホウ素源としてホウ素のハロゲン化合物ガスと、窒素源として窒素のハロゲン化合物ガスとを原料ガスとして用いることを特徴とする窒化ホウ素薄膜の作製方法。
IPC (2件):
C23C 16/38 ,  C23C 16/34

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