特許

J-GLOBAL ID：200903099210355806

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  向井 孝志
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-157219
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015041
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 新規なダブルヘテロ構造の発光素子の構造を提供することにより、窒化ガリウム系化合物半導体層を面内均一に発光させ、発光素子の発光出力を向上させるとともに、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のVfを低下させ、発光効率を向上させるp-n接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用いて発光素子の輝度、および発光出力を向上させる。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間にn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)層を発光層として具備するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層、および/または前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層に接近するにつれて、低く調整されている。

請求項（抜粋）：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間にn型In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)層を発光層として具備するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層、および/または前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層に接近するにつれて、小さくなるように調整されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-242985