特許
J-GLOBAL ID：200903099212301800
窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144151
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044400
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：
【要約】【課題】 n型のGaN基板を与えること。【解決手段】 酸素を原料ガスに含ませてGaAs基板の上にGaNをエピタキシャル成長させ、GaAs基板を除去し自立膜を得る。酸素濃度に比例したn型キャリアをもつn型GaNとなる。
請求項（抜粋）：
n型の電子伝導を示すドーパントとして酸素を添加してあり他材料の基板部分を持たないことを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/38 D
, H01L 21/205
