特許
J-GLOBAL ID：200903099216096195
超伝導層間のコンタクト構造及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-142840
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335725
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【目的】 本発明はコンタクトホールエッジ部での臨界電流密度の著しい低下を防止し、臨界電流密度と信頼性を向上し得る超伝導層間コンタクト構造及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 第1の超伝導層11と層間絶縁層13は、基板10を固定した状態でイオンビーム入射角30°の条件でイオンビームエッチングされ、レジストマスクの影になる部分には緩やかなエッジ16が、イオンビームに直接さらされる部分には急峻なエッジ17が形成される。電流はコンタクトホールの緩やかなエッジ16上の第2の超伝導層12を通り、緩やかなエッジ16での第1の超伝導層11と第2の超伝導層12との接触面において第2の超伝導層12から第1の超伝導層11に流れ込む。超伝導層11及び12として用いたYBCOは、c軸配向しており、エッジ部ではab面同士が接触する。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた第1の超伝導層と、該第1の超伝導層上に層間絶縁層を介して設けられた第2の超伝導層とを該層間絶縁層にあけられたコンタクトホールを介してコンタクトするコンタクト構造であって、前記コンタクトホールは、少なくとも前記第1の超伝導層の一部が含まれる深さで、かつ、前記層間絶縁層及び前記第1の超伝導層との境界となる互いに異なる傾斜の第1及び第2のエッジを有し、緩やかな傾斜の方の該第1のエッジを少なくとも含む部分で前記第1の超伝導層上に前記第2の超伝導層が配置され、前記第1のエッジ上の前記第2の超伝導層を介して前記第1の超伝導層と前記第2の超伝導層間の超伝導電流の導通を行うことを特徴とする超伝導層間のコンタクト構造。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/00 ZAA
H01L 39/22 ZAA A
, H01L 39/00 ZAA C
