特許
J-GLOBAL ID：200903099216933780
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336813
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181358
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 GaAsを結晶基板とする半導体発光素子に対して、サブピーク光の発生を抑制し得る新たな構造を提供すること。【解決手段】 半絶縁性GaAs結晶を結晶基板1とし、該結晶基板1上に、化合物半導体からなりpn接合を含む積層体(例えば、クラッド層2a、2cと、活性層2bとからなるダブルヘテロ接合構造の積層体)を発光部2として設ける。このとき両電極Q、Rは、前記積層体の両最外層2a、2cに各々設ける。特に下側の電極Rを形成するに際しては、前記両最外層のうちの下側の層2aに、部分的に上側に露出した面3を形成し、その面3に下側の電極Rを形成することが好ましい。
請求項（抜粋）：
半絶縁性GaAs結晶を結晶基板とし、該結晶基板上に、化合物半導体からなりpn接合を含む積層体が発光部として設けられ、電極が、発光部である積層体の両最外層の各々に設けられたものであることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 A
