特許

J-GLOBAL ID：200903099217003816

化合物半導体装置

発明者： 萩原 秀幸 ,  細井 重広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184001
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015767
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 抵抗素子の設計の自由度が大きく、設計期間の短縮化が可能なヘテロ基板を用いた化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 化合物半導体装置であって、GaAsから成るキャップ層にAlGaAsから成るエッチング停止層を少なくとも1つ挿入し、パターニングおよびエッチングを繰り返すことにより異なる膜厚を有するキャップ層を形成する。キャップ層は膜厚の違いによって異なる抵抗値を有する抵抗素子を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に設けられたバッファ層と、該バッファ層上に設けられた電子走破層と、該電子走破層上に設けられた電子供給層と、該電子供給層上に設けられたキャップ層であって、少なくとも1つのエッチング停止層が挿入されたキャップ層とから成る半導体層を用いて形成される化合物半導体装置において、前記キャップ層は、少なくとも2つの異なる膜厚を有するように形成され、その膜厚の違いによって抵抗値の異なる抵抗素子を構成することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232

FI (3件)：

H01L 29/80 R ,  H01L 27/04 P ,  H01L 27/06 F

Fターム (26件)：

5F038AR07 ,  5F038AR20 ,  5F038AR25 ,  5F038AR30 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F102GA17 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GN07 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GT03 ,  5F102HC15