特許

J-GLOBAL ID：200903099218588222

半導体レーザ素子及びその作製方法

発明者： 田中 俊明 ,  内田 憲治 ,  皆川 重量
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-041583
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018159
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、青緑色から紫色に相当する短波長半導体レーザ素子をGaInN/AlGaN材料系において実現するために、レーザダイオードに必須である共振器構造を形成する技術を提供することにある。【構成】 Diamond や Zinc Blende 結晶構造を有する半導体基板上又は六方晶系のWurtzite結晶構造を有する半導体もしくはセラミックス単結晶基板1上に、AlGaN材料系からなる導波路構造3〜7に対して共振器面を劈開法及び選択成長技術を用いることにより、基板に対して垂直でかつ原子オーダの良好な平坦性をもつ共振器面を形成する。【効果】 この共振器端面を利用して、室温において光励起及び電流注入によってレーザ発振を達成でき、発振波長は420〜440nmの範囲であった。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に設けた半導体発光素子において、用いる基板が六方晶系のWurtzite結晶構造を有する半導体もしくはセラミックス単結晶基板であり、かつ基板面指数を(0001)C面ジャストとし、該基板上に導波路構造を設けて共振器面を形成する際に、ストライプ状共振器を該基板の結晶面(11-20)A面に対して平行な方向に設けておき、該基板の(11-20)A面に対して垂直な方向に劈開法を用いて該基板の(0001)C面に対して垂直な面を切り出してこの面を両端に相対して平行に設けた共振器を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の作製方法。