特許
J-GLOBAL ID：200903099218671073
ドライエッチング法及びドライエッチング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-146186
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077177
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 プラズマエッチングを利用しながら、プラズマ重合による付着膜の形成を制御しうる半導体基板のドライエッチング法を提供する。【構成】 高周波電源13に接続される1対の電極12a,12bをチャンバ11内に設置する。シリコン基板X1は、下部電極12b上に設置されている。CHF3 ガス供給装置16から弗化炭素ガスであるCHF3 ガスを供給し、Cl F3 ガス供給装置17からハロゲン間化合物ガスであるCl F3 ガスを供給した後、高周波電源13をオンする。これにより、チャンバ11の内壁をCl F3 ガスより生じるハロゲンラジカルで覆って、CHF3 ガスのプラズマ重合によるポリマーの生成を抑制し、付着膜の生成を適度に制御する。すなわち、開口の形状を適切な形状に制御することで寸法シフトが小さくなる。また、チャンバ11の内壁に付着するポリマーによるダストも低減する。
請求項（抜粋）：
高周波電源に接続される少なくとも1対の電極をチャンバ内に配設してなるエッチング装置内で、半導体基板の一部を反応性ガスとの反応により除去するようにしたドライエッチング法であって、半導体基板をチャンバ内に設置し、上記チャンバ内に、少なくともハロゲン間化合物ガスと弗化炭素ガスとを導入し、次に、上記高周波電源から上記電極に高周波電圧を印加することを特徴とするドライエッチング法。
IPC (2件)：
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