特許
J-GLOBAL ID：200903099224757125
単結晶ウエハのホーニング加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-322710
公開番号（公開出願番号）：特開2001-192296
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 2001年07月17日
要約：
【要約】【課題】 加工歩留まりやデバイスプロセスの歩留まりを大幅に改善し得る単結晶ウエハのホーニング加工方法の提供を目的とする。【解決手段】 単結晶ウエハの被加工主面に、保護フィルム付の紫外線硬化型フィルムを一体的に配置し、前記単結晶ウエハを加温して前記保護フィルムを剥離した後、前記単結晶ウエハの温度を前記剥離時の温度よりも下げてから露光,現像処理を施し、微細な穴パターンを形成してからホーニング加工することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
単結晶ウエハの被加工主面に、保護フィルム付の紫外線硬化型フィルムを一体的に配置し、前記単結晶ウエハを加温して前記保護フィルムを剥離した後、前記単結晶ウエハの温度を前記剥離時の温度よりも下げてから露光,現像処理を施し、微細な穴パターンを形成してからホーニング加工することを特徴とする単結晶ウエハのホーニング加工方法。
IPC (6件)：
C30B 29/30
, B24B 33/00
, H01L 21/304 601
, H01L 21/304 621
, H01L 41/18
, H01L 41/22
C30B 29/30 A
, C30B 29/30 B
, B24B 33/00
, H01L 21/304 601 S
, H01L 21/304 621 B
, H01L 41/18 101 A
, H01L 41/22 Z
