特許

J-GLOBAL ID：200903099230877078

圧電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の製造方法

発明者： 田村 博明 ,  長谷川 和正
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-312931
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135876
出願日： 1999年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 ゾルゲル法によって圧電体薄膜を基板上に形成する場合、結晶配向性の制御が困難であった。【解決手段】 前駆体膜の形成工程において、有機成分の脱離と同時に加熱を停止する。

請求項（抜粋）：

基板に成膜された電極上にゾルを塗布する工程と、前記ゾルを加熱乾燥して非晶質状前駆体膜を形成する工程と、前記基板をランプアニールによって加熱し、前記非晶質状前駆体膜を結晶化させる工程よりなる圧電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の製造方法において、前記基板を工程におけるゾルの加熱乾燥を停止するタイミングが、前記ゾル中に含有される有機成分の脱離と同時であることを特徴とする圧電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 41/24 ,  C03C 17/25 ,  C03C 17/36 ,  C04B 35/49 ,  C30B 1/02 ,  H01B 3/12 301 ,  B01J 19/00

FI (7件)：

C03C 17/25 A ,  C03C 17/36 ,  C30B 1/02 ,  H01B 3/12 301 ,  B01J 19/00 K ,  H01L 41/22 A ,  C04B 35/49 Y

Fターム (42件)：

4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031BA10 ,  4G031CA03 ,  4G031CA08 ,  4G031GA07 ,  4G059EA07 ,  4G059EB07 ,  4G059GA02 ,  4G059GA04 ,  4G059GA14 ,  4G075AA24 ,  4G075BB02 ,  4G075BC02 ,  4G075BC05 ,  4G075BD16 ,  4G075CA02 ,  4G075CA32 ,  4G075CA57 ,  4G075ED01 ,  4G077AA03 ,  4G077AA07 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077BC43 ,  4G077CG01 ,  4G077GA03 ,  4G077GA07 ,  4G077HA11 ,  4G077JA03 ,  5G303AA05 ,  5G303AB05 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303CD04