特許
J-GLOBAL ID：200903099231076281
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-214621
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036689
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体装置の製造工程において、生じる表面段差を解消する。【構成】 段差を有する絶縁膜上に低分子量のポリ炭酸エステル樹脂膜5aを形成し、その後加熱処理して、その樹脂膜5aを完全に平坦化した後、樹脂膜5aをプラズマエッチにより完全に除去すれば、段差のない絶縁膜表面が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の段差を有する絶縁膜上にポリ炭酸エステル重合体を主成分とする有機物の薄層を付着する工程と、該基板を加熱処理して、該薄層の表面を平坦化する工程と、該薄層に遠紫外光を照射する工程と、プラズマエッチング法により該有機薄層、次いで絶縁膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
