半導体装置およびその作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-131413
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074365
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】基板上に必要とする特性を備えたTFTを選択的に構成する。【構成】基板上に結晶性珪素膜を用いたTFTと非晶質珪素膜を用いたTFTとを選択的に構成する。例えば、アクティブマトリックス型液晶表示装置において、周辺回路部分を結晶性珪素膜で構成し、画素部分を非晶質珪素膜を利用したTFTで構成する。結晶性珪素膜を選択的に得る方法としては、選択的に結晶化を助長する金属元素を導入することで行う。

請求項（抜粋）：

基板上に珪素膜を用いた薄膜トランジスタが多数設けられた半導体装置であって、前記多数の薄膜トランジスタの一部は、基板表面に対し概略平行に結晶成長した結晶性珪素膜を用いて構成されており、前記多数の薄膜トランジスタの他の一部は、非晶質珪素半導体膜を用いて構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1345 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 29/78 311 C

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-140915
特開平2-208635
特開平4-022120

審査官引用 (3件)

特開平2-140915
特開平2-208635
特開平4-022120

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