特許

J-GLOBAL ID：200903099254492940

半導体装置の製造方法

発明者： 山田 義明 ,  伊藤 信和
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163380
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022415
出願日： 1993年07月01日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の配線に用いるAl系の金属膜を一旦流動化して形成する方法において、この金属膜を流動化前後での膜質を良好な状態に保持し,素子に損傷を与えず,生産性の良い製造方法を提供する。【構成】Ti膜104,TiN膜105を成膜した後、コリメトリ・スパッタリング,通常のスパッタリングにより第1のAl合金膜106,第2のAl合金膜107を基板温度100°C以下で成膜し、基板温度を上昇させてAl合金膜106,107を流動化してAl合金膜111を形成する。

請求項（抜粋）：

所定の接続孔を有して半導体基板の表面上に設けられた絶縁膜上に、コリメトリ・スパッタリングにより、アルミニウム,もしくはアルミニウム合金からなる第1の金属膜を堆積する工程と、前記第1の金属膜上に、スパッタリングにより、アルミニウム,もしくはアルミニウム合金からなる第2の金属膜を堆積する工程と、前記第1の金属膜並びに前記第2の金属膜を流動化させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-065831