特許

J-GLOBAL ID：200903099256775249

半導体解析装置および解析方法

発明者： 名村 高
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327997
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144155
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 従来のオージェ電子分光装置では界面準位の帯電により、PN接合間の電位差を検出できない。【解決手段】 本発明では、従来のオージェ電子分光装置の機能に加え、試料表面に試料のバンドギャップより大きくかつ試料の仕事関数より小さいエネルギーを持つ光を照射する機能11と、その光強度を変調しそれと同期したオージェ電子強度の変動成分を検出する機能12,13を付加した構成を有している。また、試料表面を照射する光の光軸の近くに、光軸の調整を行う複数個の光検出器を備えている。

請求項（抜粋）：

半導体試料表面に光を照射する照明手段と、前記半導体試料表面を所定のビーム径をもつ電子線で走査する電子線走査手段と、前記半導体試料表面から発生する電子を運動エネルギー分析して検出する電子エネルギー分析手段とを備えた半導体解析装置。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01B 15/00 ,  G01N 23/227

FI (3件)：

H01L 21/66 Q ,  G01B 15/00 B ,  G01N 23/227

Fターム (41件)：

2F067AA00 ,  2F067AA21 ,  2F067AA45 ,  2F067BB01 ,  2F067CC17 ,  2F067EE04 ,  2F067HH06 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK05 ,  2F067LL00 ,  2F067QQ02 ,  2G001AA03 ,  2G001AA07 ,  2G001BA09 ,  2G001CA03 ,  2G001DA01 ,  2G001FA12 ,  2G001FA21 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001GA09 ,  2G001GA10 ,  2G001GA13 ,  2G001JA03 ,  2G001KA01 ,  2G001KA12 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA10 ,  4M106BA02 ,  4M106BA05 ,  4M106CB02 ,  4M106DH04 ,  4M106DH11 ,  4M106DH24 ,  4M106DH32 ,  4M106DH33 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19