特許

J-GLOBAL ID：200903099260625898

ジアルコキシ-ビス(2-チエニル)シラン重合体の製造方法

発明者： 谷木 靖 ,  益田 英之 ,  中尾 幸道 ,  帰山 享二
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院物質工学工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266586
公開番号（公開出願番号）：特開平6-093089
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年04月05日
要約：

【要約】【構成】 一般式【化1】(式中のR1及びR2はアルキル基)で表わされる繰り返し単位で構成されるジアルコキシ-ビス(2-チエニル)シラン重合体を、これと対応するジアルコキシ-ビス(2-チエニル)シランを塩化鉄(III)と接触させることによって製造する。【効果】 得られる重合体は、高い電気伝導性を示し、酸化還元が可能であり、電気素子の材料として好適である。

請求項（抜粋）：

一般式【化1】(式中のR1及びR2はアルキル基である)で表わされるジアルコキシ-ビス(2-チエニル)シランを塩化鉄(III)と接触させることを特徴とする、一般式【化2】(式中のR1及びR2はアルキル基である)で表わされる繰り返し単位で構成されるジアルコキシ-ビス(2-チエニル)シラン重合体の製造方法。

IPC (2件)：

C08G 61/12 NLJ ,  H01B 1/12