特許
J-GLOBAL ID：200903099260645597
窒素添加II-VI族化合物半導体薄膜の製造方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-082462
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275542
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】MOVPE法で利用可能な窒素添加II-VI族化合物半導体薄膜の製造方法および装置を提供する。【構成】本発明によるII-VI族化合物半導体薄膜の製造方法は、窒素分子を活性化する触媒としてオスミウムを用いたことを特徴とする構成を有している。また、本発明による成長装置は、II-VI族化合物半導体薄膜をMOVPE法によって成長させる反応管の中に、半導体基板に向けて窒素ガスを吹き付ける窒素ガス導入管が配置され、その半導体基板と窒素ガス導入管との間の位置にオスミウムを配置するようにした構成を有している。
請求項（抜粋）：
MOVPE法もしくはMBE法において、窒素分子を活性化する触媒としてオスミウム材料を用いて窒素原子を積層薄膜中に添加することを特徴とするII-VI族化合物半導体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 23/08
, C30B 25/02
, C30B 29/48
