特許

J-GLOBAL ID：200903099260746784

不揮発性半導体記憶装置とその製造方法

発明者： 木下 繁 ,  間 博顕
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-001488
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214510
出願日： 2003年01月07日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】浮遊電極間容量を低減することで、容量カップリングによるしきい値電圧の変動を抑制し、デバイス信頼性を向上させることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】電気的に書き込み及び消去可能な不揮発性半導体記憶装置において、シリコン基板1と、シリコン基板1から突出するとともに、所定間隔で配設された複数の素子分離部101と、素子分離部101間に配置された浮遊電極102と、素子分離部101及び浮遊電極102の上に積層された制御電極104とを備え、隣接する浮遊電極102相互の間隔は、シリコン基板1側よりもシリコン基板1より離間した側で広くなるように形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電気的に書き込み及び消去可能な不揮発性半導体記憶装置において、 基板と、 この基板から突出するとともに、所定間隔で配設された複数の素子分離部と、 これら素子分離部間に配置された浮遊電極と、 上記素子分離部及び上記浮遊電極の上に積層された絶縁層とを備え、 隣接する浮遊電極相互の間隔は、上記基板側よりも上記基板より離間した側で広くなるように形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (15件)：

5F083EP03 ,  5F083EP22 ,  5F083EP55 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083JA04 ,  5F083NA01 ,  5F083PR09 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA12 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05