特許
J-GLOBAL ID：200903099263207752
不良素子へのマーキング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-124005
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274134
出願日： 1987年12月18日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 不良素子に対して適正な位置及び大きさでマーキングを行うことができる不良素子へのマーキング方法を提供すること。【構成】 載置台2に載置された半導体ウエハ1上の素子をプローブ針3にて測定し、その測定の結果不良と判定された不良素子に、マーキング手段50〜54によりマーキングを行う。不良素子上のマーキング跡は、テレビカメラ31で撮像され、CPU33にてその位置及び大きさが適正であるか判定される。マーキング跡の位置が適正でない場合、CPU33は載置台2をX,Y軸方向及びθ方向に移動させて、マーキング手段と不良素子とのアライメント位置を修正する。マーキング跡の大きさが適正でない場合、載置台2のZ軸方向の位置を修正し、マーキング手段と不良素子とのZ軸方向の高さ位置を修正する。
請求項（抜粋）：
被測定基板上の被測定素子を測定し、測定結果に基づき不良と判定された不良素子に対して、マーキング手段によりマーキングを行う不良素子へのマーキング方法において、前記不良素子上のマーキング跡を撮像手段にて撮像し、適正値に対して前記マーキング跡の位置が異なる場合には、前記不良素子と前記マーキング手段との2次元平面上の相対位置を修正し、適正値に対して前記マーキング跡の大きさが異なる場合には、前記2次元平面と直交する方向での前記不良素子と前記マーキング手段との相対高さ位置を修正することを特徴とする不良素子へのマーキング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01R 31/26
, G01R 31/28
H01L 21/66 A
, G01R 31/26 J
, G01R 31/28 K
