特許

J-GLOBAL ID：200903099271932849

半導体装置およびその製法

発明者： 秋月 伸也 ,  桑村 誠 ,  池村 和弘 ,  福島 喬 ,  首藤 伸一朗 ,  伊藤 達志
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079074
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279522
出願日： 1995年04月04日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】耐湿信頼性に優れ、かつその製造効率およびプロセス信頼性が優れる半導体装置を提供する。【構成】基板3表面上に半導体素子2が搭載され、この半導体素子2が樹脂組成物の硬化体1により封止された半導体装置であって、上記樹脂組成物と基板3とが下記(A)の関係を有する。(A)基板3表面に対する溶融状態の樹脂組成物の接触角の関係であって、上記基板3表面の上記樹脂組成物の硬化体1と接触しない部分Aでの上記接触角が、上記基板3表面の上記樹脂組成物の硬化体1と接触する部分Bでの上記接触角より、4°以上大きい。

請求項（抜粋）：

基板表面上に半導体素子が搭載され、この半導体素子が樹脂組成物の硬化体により封止された半導体装置であって、上記樹脂組成物と基板とが下記(A)の関係を有することを特徴とする半導体装置。(A) 基板表面に対する溶融状態の樹脂組成物の接触角の関係であって、上記基板表面の上記樹脂組成物の硬化体と接触しない部分での上記接触角が、上記基板表面の上記樹脂組成物の硬化体と接触する部分での上記接触角より、4°以上大きい。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

H01L 21/56 E ,  H01L 23/28 J ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 23/30 R