特許

J-GLOBAL ID：200903099272974677

量子ドット構造の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子の製造方法

発明者： 藤井 宏明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318832
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154771
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】 量子効果の得られる程度に十分小さな量子ドット構造を簡便かつ容易に作製できる製造方法を提供すること。【解決手段】 量子ドット構造の成長温度が、活性層を構成する半導体の融点の絶対温度の0.4倍以下の低温成長であり、かつ活性層が引っ張り歪みを印加された条件下で成長を行うことにより、結晶成長中に結晶表面を拡散する成長原料種の拡散長を小さく制御する。

請求項（抜粋）：

活性層が、該活性層よりも高エネルギの半導体で埋め込まれた量子ドット構造において、前記活性層の結晶成長温度が該活性層を構成する半導体の融点の絶対温度の0.4倍以下の低温成長であり、かつ該活性層が引っ張り歪みを受けるような条件下で成長することを特徴とする量子ドット構造の製造方法。

IPC (6件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00 C