特許
J-GLOBAL ID：200903099273091973
超臨界水素化
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
川口 義雄 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-536847
公開番号（公開出願番号）：特表2000-508653
出願日： 1997年04月11日
公開日（公表日）： 2000年07月11日
要約：
【要約】超臨界または近臨界条件下での脂肪族または芳香族基質の選択的水素化方法。水素化は超臨界または近臨界の反応媒質を含有する連続流反応器において不均質触媒を用いて遂行され、そして生成物形成の選択性は温度、圧力、触媒および流量の一つまたはそれ以上を変えることにより達成される。
請求項（抜粋）：
有機化合物中の1個またはそれ以上の官能基の選択的水素化方法において該官能基がアルケン、環状アルケン、環状アルカン、ラクトン、無水物、アミド、ラクタム、シッフ塩基、アルデヒド、ケトン、アルコール、ニトロ、ヒドロキシルアミン、ニトリル、オキシム、イミン、アジン、ヒドラゾン、アニリン、アジド、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、ジアゾニウム、アゾ、ニトロソ、フェノール、エーテル、フラン、エポキシド、ヒドロペルオキシド、ペルオキシド、オゾニド、アレーン、飽和または不飽和の複素環、ハロゲン化物、酸ハロゲン化物、アセタール、ケタール、およびセレンまたは硫黄を含有する化合物から選択される該方法であって、該方法が水素に加えて成分の少なくとも一つが超臨界または近臨界条件下にある状態にて該有機化合物を不均質触媒上で連続的に水素化することから成り、しかも選択的水素化を遂行するように温度、圧力、触媒、流量および水素濃度の一つまたはそれ以上を制御する上記方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C07B 35/02
, C07B 61/00 B
