特許

J-GLOBAL ID：200903099276446640

半導体レーザ装置

発明者： 高木 和久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-064603
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264898
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザチップに逆電流が流れるのを防止し、信頼性の高い半導体レーザ装置を得ることを目的とする。【構成】 半導体レーザチップ1と厚み方向にpn接合が形成されたヒートシンク2とを逆極性に並列に接続し、ヒートシンク2が逆電流防止用ダイオードとして機能するよう構成した。このため、回路の寄生インダクタンスLで発生した逆起電力による逆電流は、逆電流防止用ダイオードとして機能するヒートシンク2によりバイパスされ、半導体レーザチップ1に逆方向大電流が流れない。【効果】 逆電流が流れることによる半導体レーザチップの劣化が防げる。

請求項（抜粋）：

半導体レーザチップ、厚み方向にpn接合を有し、上記半導体レーザチップを載置するヒートシンク、このヒートシンクを保持するブロックまたはステムを備え、上記半導体レーザチップと上記ヒートシンクとを逆極性に並列に接続し、上記ヒートシンクが逆電流防止用ダイオードとして機能するよう構成したことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/096

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/096